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J-GLOBAL ID：200903049682950182

含フッ素ポリイミドの製造方法

Inventor： 遠藤 和彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994129983
Publication number (International publication number)：1995330902
Application date： Jun. 13, 1994
Publication date： Dec. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の多層配線層間絶縁膜等に使うポリイミドに対し、内部まで含フッ素化させ低誘電率にする。【構成】 真空槽内にポリイミドを堆積させた試料207を設置し、CF4 などのフッ素系ガスによってフッ素プラズマを発生させる。下部電極208の近くに制御電極206を設け電圧を印加することで荷電粒子を排除しフッ素ラジカルを選び出し、ポリイミド表面にフッ素ラジカルのみを照射する。ポリイミド表面で荷電粒子とフッ素ラジカルが反応することがないのでフッ素ラジカルがポリイミド内部まで拡張する。

Claim (excerpt)：

ポリイミドにフッ素を含有させる方法において、真空中で、荷電粒子がポリイミドに到達しないようにして、フッ素ラジカルをポリイミド膜に照射する事を特徴とする方法。

IPC (5)：

C08G 73/10 NTF ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/12 CFG ,  C08L 79/08 LRB ,  H01L 21/312

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-235339
  
• ポリイミドフィルム及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-057337   Applicant：鐘淵化学工業株式会社
• 導電性積層フィルムおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-297427   Applicant：三菱伸銅株式会社
• 特開昭55-099932