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J-GLOBAL ID：200903049685439608

坩堝、結晶成長装置、および、結晶成長方法

Inventor： 塩見 弘 ,  近藤 修平
Applicant, Patent owner： 株式会社シクスオン
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999020697
Publication number (International publication number)：2000219595
Application date： Jan. 28, 1999
Publication date： Aug. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 原料の外部への漏れを防止できるとともに、種結晶上に単結晶を効率良く成長させることができる坩堝、結晶成長装置、および結晶成長方法を提供すること。【解決手段】 結晶を成長させる装置に適用され、原料12を収容可能な第一の有底外管4と、第一の有底外管4の開口端4oにその開口端6oが接続されると共に種結晶10を配置可能な種結晶配置部8を含む第二の有底外管6と、を有し、原料12の昇華に伴って種結晶10上に結晶が成長可能な坩堝2において、筒状形状をなし、一端22lの外周面が第一の有底外管4の内周面に接触し、他端22uの外周面が第二の有底外管6の内周面に接触する内管22を更に備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

結晶を成長させる装置に適用され、原料を収容可能な第一の有底外管と、前記第一の有底外管の開口端にその開口端が接続されると共に種結晶を配置可能な種結晶配置部を含む第二の有底外管と、を有し、前記原料の昇華に伴って前記種結晶上に前記結晶が成長可能な坩堝において、筒状形状をなし、一端の外周面が前記第一の有底外管の内周面に接触し、他端の外周面が前記第二の有底外管の内周面に接触する内管を更に備えることを特徴とする坩堝。

F-Term (6)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA01 ,  4G077EG25 ,  4G077SA04 ,  4G077SA11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平3-295898
  
• 特開平2-030699
  
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-075776   Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所