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J-GLOBAL ID：200903049703311789

磁気抵抗素子

Inventor： 平本 雅祥 ,  松川 望 ,  川島 良男 ,  足立 秀明 ,  小田川 明弘 ,  杉田 康成
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001069949
Publication number (International publication number)：2002270922
Application date： Mar. 13, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 磁気抵抗素子を構成する、磁性体/非磁性体界面の物性が、素子特性を劣化させている。例えば、TMR素子では、スピン分極率が100%近いと予想されているハ-フメタルを磁性体として用いた場合でも、室温で、高々10数%程度のMRしか報告されていない。【解決手段】 少なくとも1種からなる磁性体中に、磁化方向が略揃った磁化領域Aと磁化方向が略揃った磁化領域Bと、前記磁化領域Aと前記磁化領域Bに挟まれた磁化接合領域Mがあり、前記磁化領域Aの少なくとも一部、または前記磁化領域Bの少なくとも一部のうち少なくとも一方が、外部から導入された磁気的エネルギ-に対し、磁気的に略固定され、前記磁化接合領域Mまたは前記磁化領域Aまたは前記磁化領域Bの磁化状態の変化を、電気抵抗の変化として検知する磁気抵抗素子である。

Claim (excerpt)：

少なくとも1種からなる磁性体中に、磁化方向が略揃った磁化領域Aと磁化方向が略揃った磁化領域Bと、前記磁化領域Aと前記磁化領域Bに挟まれた磁化接合領域Mがあり、前記磁化領域Aの少なくとも一部、または前記磁化領域Bの少なくとも一部のうち少なくとも一方が、外部から導入された磁気的エネルギ-に対し、磁気的に略固定され、前記磁化接合領域Mまたは前記磁化領域Aまたは前記磁化領域Bの磁化状態の変化を、電気抵抗の変化として検知する磁気抵抗素子。

IPC (8)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105

FI (8)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

F-Term (22)：

2G017AA02 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BB02 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA30 ,  5F083JA37 ,  5F083LA10