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J-GLOBAL ID：200903049706029758

強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： 神澤 公
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 古谷 栄男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992162532
Publication number (International publication number)：1994005946
Application date： Jun. 22, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ペロブスカイト構造内に酸素の空格子が生じないような強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 白金膜7の上面に設けられるPZT薄膜9のゾル・ゲル法を用いた製造方法において、成膜工程のうち最後の2回ではゾル溶液を塗布し、乾燥させた後、RTA装置を用いオゾン雰囲気中700°C、20秒の条件で焼結させる。よって、ラジカルな酸素イオンが誘起されることにより、PZT薄膜9のペロブスカイト構造内に酸素の空格子を生じさせないようにすることができる。【効果】 PZT薄膜9の分極反転の繰り返しによる薄膜の劣化を抑制することができる。

Claim (excerpt)：

ゾル溶液を塗布した後に焼成し成膜するゾル・ゲル法を用いた強誘電体薄膜の製造方法であって、焼成をオゾン雰囲気内で行う、ことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 41/24 ,  C04B 35/49 ,  C04B 35/64 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108

FI (2)：

H01L 41/22 Z ,  H01L 27/10 325 J