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J-GLOBAL ID：200903049719558881

ミキサ回路

Inventor： 志賀 信夫
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992004920
Publication number (International publication number)：1993191154
Application date： Jan. 14, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 入力インピーダンスが安定しているFETミキサ回路を提供することを目的とする。【構成】 パルスドープ構造GaAsMESFET(1)を通常のMESFETまたはHEMTに代えてアクティブデバイスとして用い、そのゲートバイアス点を、相互コンダクタンスがゲート電圧の増加に対して増加する領域から変化しない領域に移る点の近傍に設定した。これにより、大振幅の局発信号に対しても相互コンダクタンスの変化が小さく、したがって、入力容量ひいては入力インピーダンスの変化が少ない。

Claim (excerpt)：

パルスドープ構造GaAsMESFETをアクティブデバイスとし、そのゲートバイアス点を、相互コンダクタンスがゲート電圧の増加に対して増加する領域から変化しない領域に移る点の近傍に設定したことを特徴とするミキサ回路。

IPC (4)：

H03D 9/06 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H03D 7/12