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J-GLOBAL ID：200903049722924406

カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ膜の製造方法

Inventor： 稲垣 浩貴 ,  立石 浩史
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999225487
Publication number (International publication number)：2001048507
Application date： Aug. 09, 1999
Publication date： Feb. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】 低温処理での、カーボンナノチューブの製造を可能にする。【解決手段】 炭化基板8に、ハロゲンを含むガス10を接触させた状態で加熱することで、低温の熱処理で、カーボンナノチューブ13を製造する。

Claim (excerpt)：

炭化物と反応ガスとを接触させ、前記炭化物から炭素以外の元素を除去して炭素のチューブを形成するカーボンナノチューブの製造方法において、前記反応ガスとして、ハロゲンを含むガスを用いることを特徴としたカーボンナノチューブの製造方法。

F-Term (5)：

4G046CA00 ,  4G046CA01 ,  4G046CB03 ,  4G046CC02 ,  4G046CC03