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J-GLOBAL ID：200903049731358693

半導体発光装置

Inventor： 前田 俊秀 ,  小原 邦彦 ,  山口 和也
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998009386
Publication number (International publication number)：1999214752
Application date： Jan. 21, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 発光素子を樹脂封止するに際して発光素子からの発光が透過方向に対して全反射する割合を小さく抑えて発光輝度を向上させる。【解決手段】 発光素子4を搭載して電気的に導通させる搭載導通部材として備えるリードフレーム1と、これらの発光素子4及びリードフレーム1の一部を被覆し且つ発光素子4よりも小さな屈折率の封止樹脂6とを備え、発光素子4と封止樹脂6のそれぞれの屈折率の間の値の屈折率を持つ屈折率緩衝用樹脂層7を、少なくとも発光素子4の光取出し面を被覆して封止樹脂6に内在させ、発光素子4から封止樹脂6の外郭面までの光路における各層の境界面でのそれぞれの全反射率を低減させる。

Claim (excerpt)：

結晶基板の上にp-n接合の半導体層を積層した発光素子と、この発光素子を搭載して電気的に導通させる搭載導通部材と、発光素子及びその搭載導通部材との導通部を少なくとも被覆し且つ発光素子よりも小さな屈折率の封止樹脂とを含む半導体発光装置であって、発光素子と封止樹脂のそれぞれの屈折率の間の値の屈折率を持つ屈折率緩衝用樹脂層を、少なくとも発光素子の光取出し面を被覆して封止樹脂に内在させてなる半導体発光装置。