半導体レーザ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992249719
Publication number (International publication number)：1994104525
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】光ガイド層を備えた半導体レーザの垂直放射角の低減を実現するための半導体レーザの層構造に関するものである。【構成】半導体基板上に少なくとも第1クラッド層(屈折率n1)、活性層(屈折率n5)、光ガイド層(屈折率n6)、第2クラッド層(屈折率n2)を順次形成し、屈折率の大小関係がn5>n6>(n1及びn2)である光ガイド層付き半導体レーザ装置において、第1のクラッド層と活性層の間に第3のクラッド層を、光ガイド層と第2クラッド層の間に第4のクラッド層を、一方又は両方に挿入し、第3のクラッド層の屈折率n3はn5>n1>n3であり、第4のクラッド層の屈折率n4はn6>n2>n4であることを特徴とする半導体レーザ装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に少なくとも第1のクラッド層、活性層、光ガイド層、第2のクラッド層を順次積層してなる光ガイド層付き半導体レーザ装置において、第1のクラッド層と活性層との間、または光ガイド層と第2のクラッド層との間の少なくとも一方に第3または第4のクラッド層を挿入することを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-112186
特開昭56-040294
特開昭51-105780

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