Pat

J-GLOBAL ID：200903049740222656

コンタクトホールの形成方法

Inventor： 大國 充弘 ,  二河 秀夫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997317916
Publication number (International publication number)：1999150103
Application date： Nov. 19, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 膜厚の薄いレジストパターンを用いて、絶縁膜に微細で且つアスペクト比の高いコンタクトホールを形成するにも拘わらず、良好な断面形状を有するコンタクトホールが得られるようにする。【解決手段】 導電膜11の上に形成された絶縁膜12の上にレジスト膜13を堆積した後、レジスト膜13に選択的にパターン露光を行なう。パターン露光されたレジスト膜13の表面にシリル化剤15を供給して、レジスト膜13の表面部におけるコンタクトホール形成領域を除く領域に選択的にシリル化層16を形成する。レジスト膜13に対してシリル化層16をマスクとしてドライエッチングを行なって、レジスト膜13よりなるレジストパターン17を形成する。絶縁膜12に対してレジストパターン17をマスクとしてエッチングを行なって、絶縁膜12にコンタクトホールを形成する。

Claim (excerpt)：

導電膜の上に形成された絶縁膜の上にレジスト膜を堆積するレジスト膜堆積工程と、前記レジスト膜に選択的にパターン露光を行なった後、パターン露光された前記レジスト膜の表面にシリル化剤を供給して、前記レジスト膜の表面部におけるコンタクトホール形成領域を除く領域に選択的にシリル化層を形成するシリル化層形成工程と、前記レジスト膜に対して前記シリル化層をマスクとしてドライエッチングを行なって、前記レジスト膜よりなるレジストパターンを形成するパターン形成工程と、前記絶縁膜に対して前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行なって、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程とを備えていることを特徴とするコンタクトホールの形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/302 M ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C