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J-GLOBAL ID：200903049756740878

Si発光装置とその製造方法

Inventor： 山田 雅雄 ,  ジョージ・ジェー・コリンズ
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992195650
Publication number (International publication number)：1994045644
Application date： Jul. 22, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリコン発光装置に関し、新規な構成を有するSi発光装置を提供することを目的とする。【構成】 Si層と絶縁層と支持基板とを積層したSOI基板を準備し、支持基板側からSi層に達する開口を形成する工程と、前記開口上にバックコンタクト電極を形成し、前記Si層を弗酸水溶液中で陽極酸化してポラスSi領域を形成する工程と、前記Si層のポラスSi領域を挟んでn型領域とp型領域を形成する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

Si層(3)と絶縁層(2)と支持基板(1)とを積層したSOI基板であって、前記Si層(3)の所定領域上で支持基板と絶縁層に開口(5)が形成されているSOI基板(4)と、前記Si層の所定領域に形成されたポーラスSi領域(8)と、前記Si層の所定領域に隣接して形成されたn型領域(12)と、前記Si層の所定領域に隣接して、前記n型領域(12)と対向して形成されたp型領域(13)とを含むSi発光装置。