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J-GLOBAL ID：200903049762776493

ポリイミド基体への金属メッキ膜形成方法

Inventor： 村尾 健二 ,  赤星 晴夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001004999
Publication number (International publication number)：2002208768
Application date： Jan. 12, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は、ポリイミド基体に銅等の金属膜を無電解メッキ法により析出させる際、該ポリイミドの化学的安定性を損ねることなく金属膜との密着性を確保しうる(アディティブ法へ適用が可能な)金属メッキ膜の作成方法を提供することにある。【解決手段】ポリイミド基体の表面に導電回路パターンを形成する金属メッキ膜の作成方法において、予め該ポリイミド基体の表面を、アルカリ性物質共存下で1級アミノ基を有する有機ジスルフィド化合物又は1級アミノ基を有する有機チオール化合物を含む溶液で処理することを特徴とする金属メッキ膜の作成方法。

Claim (excerpt)：

ポリイミド基体の表面に導電回路パターンを形成する金属メッキ膜の作成方法において、予め該ポリイミド基体の表面を、アルカリ性物質共存下で1級アミノ基を有する有機ジスルフィド化合物又は1級アミノ基を有する有機チオール化合物を含む溶液で処理することを特徴とするポリイミド基体への金属メッキ膜形成方法。

IPC (5)：

H05K 3/18 ,  C23C 18/20 ,  C25D 5/56 ,  C25D 7/00 ,  H05K 3/38

FI (6)：

H05K 3/18 A ,  H05K 3/18 H ,  C23C 18/20 Z ,  C25D 5/56 B ,  C25D 7/00 J ,  H05K 3/38 A

F-Term (32)：

4K022AA15 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022BA31 ,  4K022BA36 ,  4K022CA03 ,  4K022CA06 ,  4K022CA16 ,  4K022CA22 ,  4K022DA01 ,  4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB17 ,  4K024BA14 ,  4K024BB11 ,  4K024CB12 ,  4K024DA10 ,  4K024GA01 ,  5E343AA02 ,  5E343AA18 ,  5E343BB16 ,  5E343BB24 ,  5E343BB71 ,  5E343CC22 ,  5E343CC71 ,  5E343CC73 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343EE06 ,  5E343EE20 ,  5E343ER02 ,  5E343GG02