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J-GLOBAL ID：200903049769163730

半導体装置の製造方法

Inventor： 村上 朝夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 西村 征生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998112230
Publication number (International publication number)：1999307584
Application date： Apr. 22, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 フリップチップ接続を行うにあたり、パルスヒートによる熱硬化型樹脂の硬化時に、ボイドの発生を防止できるようにする。【解決手段】 バンプ電極6が配線2に接触するように回路基板1上に加圧されたチップ4を加圧しつつその加熱温度を、熱硬化型樹脂3をチップ4のバンプ電極6の形成面全体に濡れ広げる第1段階Iと、この第1段階Iよりも高い温度で同熱硬化型樹脂3のゲル化を促進する第2段階IIと、この第2段階IIよりも高い温度で同熱硬化型樹脂3の硬化を促進する第3段階IIIとに変更して熱硬化型樹脂を硬化させる。

Claim (excerpt)：

表面にバンプ電極が形成された半導体チップを熱硬化型樹脂を介して回路基板上にフリップチップ接続する半導体装置の製造方法であって、前記回路基板の配線が形成されている接続面に前記熱硬化型樹脂を供給する熱硬化型樹脂供給工程と、前記半導体チップを裏面から半導体チップ吸着用ツールで吸着して前記回路基板上に移送した後、前記バンプ電極と前記配線とが略対向するように前記半導体チップを前記回路基板上に位置決めする半導体チップ位置決め工程と、前記半導体チップを加熱した状態で前記バンプ電極が前記配線に接触するように前記半導体チップを前記回路基板上に加圧する半導体チップ加圧工程と、前記半導体チップを加圧しつつその加熱温度を段階的に変更して前記熱硬化型樹脂を硬化させて、前記半導体チップを前記回路基板上に接続するフリップチップ接続工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/603

FI (2)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/603 B