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J-GLOBAL ID：200903049772685208
質量分離型イオンビームデポジション装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八木田 茂 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993003277
Publication number (International publication number)：1994212411
Application date： Jan. 12, 1993
Publication date： Aug. 02, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 薄膜の成長開始時及び終了時、並びに別種のイオンビームへの切換え時等にイオンビームの偏光中に生成されたスパッタ粒子や高速中性粒子が試料に混入するのを防止する。【構成】 成長室1内の試料5の直前にイオンビーム電流をモニタできるモニタ機構13を備えたシャッタ装置6を設けた質量分離型インオンビームデポジション装置。
Claim (excerpt)：
イオン源から引出したイオンビームを質量分離器に通し、所望のイオンのみを選択し、選択したイオンビームをビーム搬送系及び減速系を介して試料へ選択したイオンを照射するように構成した質量分離型イオンビームデポジション装置において、試料直前のイオンビーム経路に、イオンビームモニタ機構を備えたシャッタ装置を設け、イオンビームの偏向操作によって生成されるスパッタ粒子や高速中性粒子等の望ましくない粒子の試料への混入を阻止できるようにしたことを特徴とする質量分離型イオンビームデポジション装置。
Patent cited by the Patent：
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