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J-GLOBAL ID：200903049781611659

半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： 福嶋 丈浩 ,  近藤 真人
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992222855
Publication number (International publication number)：1994069595
Application date： Aug. 21, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、半導体レーザ装置及びその製造方法に係り、特にp型GaAs基板を用いて形成された半導体レーザ及びその製造方法に関し、Znをドープしたp-GaAs基板を用いても、Znがクラッド層等に拡散してしまうことがないようにした半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】Znをドープしたp-GaAs基板2上に、カーボンをドープしたメサ形状のカーボンドープAlGaAs層4が形成されている。メサ部端部からなだらかに下降する傾斜を持ちながらメサを埋め込むように、電流ブロック層6が形成されている。電流ブロック層6及びカーボンドープAlGaAs層4のメサ上部に、Znをドープした下部クラッド層8が形成されている。下部クラッド層8上には活性層10が形成されている。活性層10上には上部クラッド層12が形成されているように構成する。

Claim (excerpt)：

p型基板と、前記p型基板上に形成されたp型の下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたn型の上部クラッド層とを有する半導体レーザ装置において、前記p型基板と前記下部クラッド層との間に、前記下部クラッド層よりカーボン濃度の高い拡散ブロック層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。