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J-GLOBAL ID：200903049784902719
不揮発性強誘電体メモリ装置、不揮発性強誘電体メモリアレイ装置及びそのメモリアレイ装置の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993283594
Publication number (International publication number)：1994209113
Application date： Nov. 12, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ノイズ干渉を除去すると共に、メモリサイズを低減させた折返しビット線を有する不揮発性強誘電体メモリ装置を提供すること。【構成】 各行毎に、2対の対応したワード線(B又はA)及びプレート線(A又はB)を有する。ある対のプレート線は、当該対のワード線の上に位置しても下に位置してもよい。また、対の一方は、他方と幅が同一でも異なってもよい。好ましくは、対の各要素は略整列し、他方の対の各要素も互いに整列し、2つの対は離隔している。行内の各セルは、任意の位置で、2つの対の一方のワード線と、他方の対のプレート線とに接続する。従って、単一のセルのワード線とプレート線は、対応していない。更に、任意の行の隣接したセルは、同一のワード線又はプレート線を共有せず、他方のワード線又はプレート線に接続する。
Claim (excerpt)：
第一電極と第二電極と制御電極とを有するトランジスタと、第一及び第二プレートを有する強誘電体コンデンサとを含み、前記トランジスタの前記第二電極が、前記強誘電体コンデンサの前記第一プレートに結合されている不揮発性強誘電体メモリ装置において、前記トランジスタの前記第一電極に接続されたビット線と、互いに絶縁層で分離された第一ワード線及び第一プレート線を含む対応する線の組と、互いに絶縁層で分離された第二ワード線及び第二プレート線を含む対応する線の組とを備え、前記第一ワード線が、前記トランジスタの前記制御電極に結合され、前記第二プレート線が、前記強誘電体コンデンサの前記第二プレートに結合されていることを特徴とする不揮発性強誘電体メモリ装置。
IPC (3)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
