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J-GLOBAL ID：200903049787557680

レジスト樹脂、レジスト樹脂組成物、及びそれらを用いたパターン形成方法

Inventor： 南波 洋一 ,  高橋 浩
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 大家 邦久 (外1名)
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP1998003589
Publication number (International publication number)：WO1999009457
Application date： Aug. 12, 1998
Publication date： Feb. 25, 1999
Summary：

【要約】酸により分解する側鎖基を有する(メタ)アクリル構造と、一般式(1)で示されるポリオルガノシルセスキオキサン構造とが同一分子中に存在する共重合体、または異なる分子中に存在する重合体の混合物を含むレジスト樹脂及び前記レジスト樹脂を用いるパターン形成方法(式中の記号は明細書に記載の通りの意味を表わす。)。本発明のレジスト樹脂は220nm以下の短波長の照射線に高い感度を有し、0.15μm以下の微細加工パターンを形成することができる。

Claim (excerpt)：

一般式(1)(式中、R1およびR2は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、(メタ)アクリロイルオキシ基、ビニル基、アミノ基、エポキシ基またはメルカプト基により置換されていてもよい炭素数1〜10の炭化水素基を表わし、前記(メタ)アクリロイルオキシ基およびビニル基は(メタ)アクリル系またはビニル系重合体構造を形成していてもよい。同一分子内に複数存在するR1またはR2はそれぞれ異なっていてもよい。)で示されるポリオルガノシルセスキオキサン構造と、酸により分解して有機酸基を発生する側鎖基を有するアクリル系重合体構造とが、同一分子中に存在する共重合体、または異なる分子中に存在する(共)重合体混合物を含むことを特徴とするレジスト樹脂。

IPC (4)：

G03F 7/075 501 ,  C08G 77/442 ,  C08L 33/04 ,  C08L 83/10

FI (4)：

G03F 7/075 501 ,  C08G 77/442 ,  C08L 33/04 ,  C08L 83/10