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J-GLOBAL ID:200903049788695998
受光素子及びその光モジュール並びに光ユニット
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996118069
Publication number (International publication number):1997307134
Application date: May. 13, 1996
Publication date: Nov. 28, 1997
Summary:
【要約】【課題】 本発明は受光素子及びその光モジュール並びに光ユニットに関し、面取り入射型受光素子における一層の小型化、高集積化、量産化、低価格化が図れる受光素子及びその光モジュール並びに光ユニットの提供を課題とする。【解決手段】 半導体素子の基板側より光ビームを入射し、対面の接合側で光検出を行う受光素子の前記基板側の受光経路に斜面3Aを備え、該斜面で屈折し又は反射した光ビームを前記接合側の光検出部に導く受光素子において、前記接合側の光検出部PDに対応して第1の電極8を備え、かつ該接合側と相対する基板3側の主面に前記光検出部PDをなすホトダイオードを逆バイアスするための第2の電極11を備える。
Claim (excerpt):
半導体素子の基板側より光ビームを入射し、対面の接合側で光検出を行う受光素子の前記基板側の受光経路に斜面を備え、該斜面で屈折し又は反射した光ビームを前記接合側の光検出部に導く受光素子において、前記接合側の光検出部に対応して第1の電極を備え、かつ該接合側と相対する基板側の主面に前記光検出部をなすホトダイオードを逆バイアスするための第2の電極を備えることを特徴とする受光素子。
IPC (3):
H01L 31/10
, G02B 6/42
, H01L 31/0232
FI (3):
H01L 31/10 A
, G02B 6/42
, H01L 31/02 C
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