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J-GLOBAL ID：200903049792322004

化合物半導体発光素子

Inventor： 北川 雅彦 ,  友村 好隆 ,  中西 健司
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991309361
Publication number (International publication number)：1993021847
Application date： Nov. 25, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【構成】 II-VI族化合物半導体で形成されたpn接合型発光素子であって、該接合部のn層が必須の組成元素として亜鉛を含有するII-VI族化合物半導体層からなり、該接合部p層が必須の組成元素としてM,Be,Te(MはCd又はZn)を含有するエピタキシャル層からなるII-VI族化合物半導体層からなることを特徴とする化合物半導体発光素子。【効果】 安定かつ再現性のある高輝度青色発光ダイオードを初めとする短波長光の発光素子が得られる。

Claim (excerpt)：

II-VI族化合物半導体で形成されたpn接合型発光素子であって、該接合部のn層が必須の組成元素として亜鉛を含有するII-VI族化合物半導体層からなり、前記接合部のp層が必須の組成元素としてM,Be,Te(MはCd又はZn)を含有するエピタキシャル層からなるII-VI族化合物半導体層からなることを特徴とする化合物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 27/15 ,  H01L 21/203