Pat

J-GLOBAL ID：200903049800380272

半導体集積回路パッケージ、その製造方法、及びその実装方法

Inventor： 篠宮 巧治
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992327335
Publication number (International publication number)：1994151587
Application date： Nov. 11, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高周波回路、高速スイッチング回路に好適なIC製造を可能にする。【構成】 ウェハプロセス中に写真製版技術を用いて外部取り出し電極(S1〜S5)を形成し、その後ウェハ状態のままウェハ上に樹脂を塗布して硬化処理を施し(S7,S8)、ウェハ表面を研磨(S9)して上記外部取り出し電極18を清浄化した電極を作成し、このウェハをダイシング・スライス・カット(S12)してエキスパンディング(S13)して製造し、ウェハ上にパッケージング用樹脂と、研磨処理された電極とを持つ保護パッケージをもつICを形成する。【効果】 ICパッケージング工程をウェハ状態で実施したのでバッジ処理でき、生産効率が向上でき、安価にかつ精度の高いものが得られる効果がある。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路パッケージにおいて、ウェハプロセス中に写真製版技術を用いて外部取り出し電極を形成し、その後ウェハ状態のままウェハ上に樹脂を塗布して硬化処理を施し、ウェハ表面を研磨して上記外部取り出し電極を清浄化した電極を作成し、このウェハをダイシング・スライス・カットしてエキスパンディングして製造してなり、ウェハ上にパッケージング用樹脂と、研磨処理された電極とを持つ保護パッケージを有することを特徴とする半導体集積回路パッケージ。

IPC (4)：

H01L 21/78 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/66

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-211207   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-304640