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J-GLOBAL ID：200903049801212870

高分子電解質錯体の製造方法

Inventor： 大橋 秀和
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 小栗 昌平 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000030683
Publication number (International publication number)：2001222910
Application date： Feb. 08, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】 遮蔽溶媒の探索が不要で、種々の厚さの高分子電解質錯体や任意の強電解質化合物を内包した高分子電解質錯体、及び同一分子内にカチオン基とアニオン基を有する高分子電解質と同高分子電解質錯体を簡便に調製できる高分子電解質錯体の製造方法を提供する。【解決手段】 基材上に、熱によって酸基を発生しうる官能基を備えた高分子化合物と陽電荷を有する官能基及び熱によって陽電荷を有する官能基を形成しうる官能基の内の少なくとも何れかを備えた高分子化合物とを含有する溶液を塗布した後、または、熱によって酸基を発生しうる官能基と陽電荷を有する官能基及び熱によって陽電荷を有する官能基を形成しうる官能基の内の少なくとも何れかとを備えた高分子化合物を含有する溶液を塗布した後、該基材を加熱処理する事を特徴とする。

Claim (excerpt)：

基材上に、熱によって酸基を発生しうる官能基を備えた高分子化合物と陽電荷を有する官能基及び熱によって陽電荷を有する官能基を形成しうる官能基の内の少なくとも何れかを備えた高分子化合物とを含有する溶液を塗布した後、該基材を加熱処理する事を特徴とする高分子電解質錯体の製造方法。

IPC (4)：

H01B 1/06 ,  C08J 7/04 ,  H01M 6/18 ,  H01M 10/40

FI (4)：

H01B 1/06 A ,  C08J 7/04 Z ,  H01M 6/18 E ,  H01M 10/40 B

F-Term (23)：

4F006AA02 ,  4F006AA12 ,  4F006AA15 ,  4F006AA35 ,  4F006AA36 ,  4F006AB16 ,  4F006AB24 ,  4F006AB65 ,  4F006AB66 ,  4F006BA06 ,  4F006CA09 ,  4F006DA04 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE01 ,  5H024BB01 ,  5H024BB08 ,  5H024EE09 ,  5H024FF21 ,  5H029AM16 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ22 ,  5H029EJ12