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J-GLOBAL ID：200903049804490056

半導体装置

Inventor： 宇賀神 隆一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992127561
Publication number (International publication number)：1993326939
Application date： May. 20, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高速動作化をはかる。【構成】 表面空乏層のない半導体1上に空間2を介してゲート電極3が配置されてゲート電極3下の半導体1の電子伝導を制御する。

Claim (excerpt)：

表面空乏層のない半導体上に空間を介してゲート電極が配置されてゲート電極下の上記半導体の電子伝導を制御するようにしたことを特徴とする半導体装置。