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J-GLOBAL ID：200903049810252949

洗浄方法

Inventor： 大竹 聖司
Applicant, Patent owner： 全協化成工業株式会社
Agent (1)： 杉本 良夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005203889
Publication number (International publication number)：2006287171
Application date： Jul. 13, 2005
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：

【課題】半導体製造工程においてウェハーに塗布したレジストを除去するに際して、コストを上げること無く、短時間でレジストを除去可能にするオゾン水洗浄の方法を提供すること。【解決手段】洗浄槽内にオゾン水を供給しつつ洗浄槽内のオゾン水を循環させて行うオゾン水を用いた洗浄方法であり、洗浄槽内に供給するオゾン水は、水にオゾン水を溶解させたオゾン水を用い、オゾン濃度を80ppm以上にするとともに、毎分あたり、洗浄槽内のオゾン水量の約25%に該当する量を供給し、前記循環させるオゾン水は、毎分あたり、洗浄槽内のオゾン水容量に対して約60%の量とし、洗浄槽内のオゾン濃度を60ppm以上に維持することを特徴とし、これにより、洗浄槽へ供給するオゾン水を増加させることなく洗浄槽内のオゾン水の流量を高めることができるとともに短時間でレジストを除去可能となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

洗浄槽内にオゾン水を供給しつつ洗浄槽内のオゾン水を循環させて行うオゾン水を用いた洗浄方法であって、 前記洗浄槽内に供給するオゾン水は、オゾン濃度を80ppm以上にするとともに、毎分あたり、洗浄槽内のオゾン水量の約25%に該当する量を供給し、 前記循環させるオゾン水は、毎分あたり、洗浄槽内のオゾン水量の約60%の量とし、 洗浄槽内のオゾン濃度を60ppm以上に維持することを特徴とする洗浄方法。

IPC (1)：

H01L 21/304

FI (1)：

H01L21/304 647Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 洗浄方法及び洗浄装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-164199   Applicant：株式会社ササクラ