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J-GLOBAL ID：200903049811808118

半導体装置の製造方法

Inventor： 米田 喜和
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991334357
Publication number (International publication number)：1993144805
Application date： Nov. 22, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコン基板の素子分離の形状を制御することのできる素子分離方法を得る。【構成】 シリコン基板上に薄い酸化膜、窒化膜を形成し、窒化膜をパターニングした後に、酸素注入、窒素注入を行い、LOCOS酸化し、窒化膜、酸化膜を除去する。また、シリコン基板上に薄い酸化膜、窒化膜を形成し、窒化膜をパターニングした後に、エッチングし、酸素注入、窒素注入を行い、LOCOS酸化し、窒化膜、酸化膜を除去する。【効果】 素子分離の形状を制御でき、分離の深さを深くするとともに、バーズビークを低減することができる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に素子分離領域を形成する方法において、前記シリコン基板の素子分離領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入する工程と、前記領域に前記酸素注入工程よりも高エネルギーで高濃度の窒素を注入する工程と、前記処理した領域を酸化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76