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J-GLOBAL ID：200903049816725032

半導体素子の製造方法

Inventor： 山内 智
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993068174
Publication number (International publication number)：1994283668
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 PZT薄膜の熱処理時の異状析出やクラック等を防止し、膜特性の優れたPZT薄膜の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 PZT薄膜16形成時の基板11温度を400°C前後とすることでグレインの小さなPZT膜を形成し、この膜を600〜700°CのRTAで熱処理することでペロブスカイト構造への結晶化を行う。

Claim (excerpt)：

絶縁膜を、電極により上下から挟間して成るキャパシターの下部電極上に、結晶粒径が1000Å以下のPZT膜を形成する工程と、前記PZT膜に熱処理を施す工程とを、順に施すことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 回路遮断器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-171317   Applicant：松下電工株式会社