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J-GLOBAL ID：200903049830479877

III族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体デバイス

Inventor： 中畑 成二 ,  弘田 龍 ,  上野 昌紀
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004304073
Publication number (International publication number)：2005236261
Application date： Oct. 19, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：

【課題】 転位密度が低くかつ製造コストの安いIII族窒化物結晶基板およびその製造方法、ならびにそのIII族窒化物結晶基板を含むIII族窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】 液相法により、下地基板1上に第1のIII族窒化物結晶2を成長させる工程と、気相法により、第1のIII族窒化物結晶2上に第2のIII族窒化物結晶3を成長させる工程とを含むIII族窒化物結晶の製造方法。また、上記製造方法により得られた転位密度が1×107個/cm2以下のIII族窒化物結晶基板。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

液相法により、下地基板上に第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程と、気相法により、前記第1のIII族窒化物結晶上に第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程とを含むIII族窒化物結晶基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L21/208 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

FI (3)：

H01L21/208 D ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

F-Term (25)：

5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045DA52 ,  5F052DA04 ,  5F052JA07 ,  5F052KA07 ,  5F053AA03 ,  5F053DD20 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053PP11 ,  5F053RR03 ,  5F053RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• III族窒化物結晶、その成長方法、成長装置および半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-325500   Applicant：株式会社リコー