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J-GLOBAL ID：200903049837180699
電界効果トランジスタ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991330167
Publication number (International publication number)：1993166845
Application date： Dec. 13, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】【構成】化合物半導体から成る多層半導体層(8)、ゲート電極(10)、ソース電極(11)、ドレイン電極(12)を含んで成り、かつ、多層半導体層(8)内の一部に電子をキャリアとするn型の導電チャネルを形成する電界効果トランジスタにおいて、多層半導体層(8)はp型半導体層(7)を含み、ゲート電極(10)下の領域を除いて多層半導体層(8)表面から少なくともp型半導体層(7)までの多層半導体層の一部が除去されて、ゲート電極(10)直下にp型半導体層(7)が選択的に形成され、かつ、ゲート電極(10)のチャネル方向の端部がp型半導体層(7)端部より外側に出ている構成。【効果】トランジスタ特性の均一性・再現性に優れ、ドレイン耐圧が大きく、かつ、ソース抵抗が小さい電界効果トランジスタを提供することができる。
Claim (excerpt)：
化合物半導体から成る多層半導体層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を含んで成り、かつ、上記多層半導体層内の一部に電子をキャリアとするn型の導電チャネルを形成する電界効果トランジスタにおいて、上記多層半導体層はp型半導体層を含み、上記ゲート電極下の領域を除いて上記多層半導体層表面から少なくとも上記p型半導体層までの上記多層半導体層の一部が除去されて、上記ゲート電極直下に上記p型半導体層が選択的に形成され、かつ、上記ゲート電極のチャネル方向の端部が上記p型半導体層端部と同じか、または上記p型半導体層端部より外側に出ていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/784
H01L 29/80 H
, H01L 29/78 301 S
