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J-GLOBAL ID：200903049837991450

半導体レーザ素子

Inventor： 山下 茂雄 ,  中塚 慎一 ,  内田 憲治
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991232938
Publication number (International publication number)：1993075201
Application date： Sep. 12, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】直列抵抗を低減するリッジ構造半導体レーザの構造を提供する。【構成】活性層3上部のクラッド層を複数のキャリア濃度の異なる半導体層4,5で形成し、活性層側に位置する半導体層4のキャリア濃度を2×1017から1×1018/cm3 の範囲とし、表面側に位置する半導体クラッド層5キャリア濃度を1×1018から5×1019/cm3 の範囲に制御する。また、活性層側にあるクラッド層4の厚さは、リッジ構造部の外側領域に残すクラッド層の厚さよりも大きくする。

Claim (excerpt)：

第一の導電型の第一半導体クラッド層,第二半導体活性層,第二の導電型の第三半導体クラッド層を含む半導体レーザ素子において、一方のクラッド層が、キャリア濃度が2×1017から1×1018/cm3 の範囲にある半導体層、および、1×1018から5×1019/cm3 の範囲にある半導体層の二層を含み、かつ、前記半導体層のうち低キャリア濃度側の層が前記第二半導体活性層側に位置していることを特徴とする半導体レーザ素子。