Pat
J-GLOBAL ID：200903049838015110
表面感受性を低減したオゾン/TEOS酸化シリコン膜の堆積方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993138721
Publication number (International publication number)：1994077150
Application date： Jun. 10, 1993
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【構成】 段状構成上に空隙の無い酸化シリコン層を堆積する方法であって;テトラエトキシシラン(TEOS)と窒素含有ガスのプラズマから、窒素でドープされた第1酸化シリコンシード層を堆積させ、その上に低温においてテトラエトキシシラン、オゾン及び酸素の混合物から酸化シリコン層を堆積させて改善された特性を有する酸化シリコン層を形成する方法。【効果】 優れたコンフォーマリティ及び膜質を有する酸化シリコン層を、TEOS及びオゾンから堆積させることができる。
Claim (excerpt)：
a)テトラエトキシシラン及び窒素含有ガスからプラズマを発生させることによって酸化シリコンの窒素含有第1層を堆積させる工程と、b)低温においてテトラエトキシシラン、オゾン及び酸素から酸化シリコンの第2層を堆積させる工程とを含むことを特徴とする酸化シリコン膜の堆積方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23C 14/08
, H01L 21/316
