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J-GLOBAL ID：200903049838075414
酸化膜の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991260651
Publication number (International publication number)：1993102130
Application date： Oct. 08, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】簡単なプロセスで酸化膜を形成することができ、特に半導体装置の製造に有効な酸化膜の形成方法を提供する【構成】NF3 とO2 混合ガス雰囲気に置かれたSiウエハ21に水平方向からArFレーザー光を入射させ、光分解されたNF3 とSiおよび酸素とを互に反応させる。一方Siウエハ21に対して垂直方向から回路パターン状のKrFレーザー光を同時照射して、未露光部にSiO2 膜12を析出させ、露光部にSiをエッチングさせる。この様にして絶縁層(SiO2 膜)とボアホール(露光部のSi)が単一プロセスで形成される。
Claim (excerpt)：
NF3 と酸素または酸素化合物との混合ガス雰囲気中に基板を配置する工程と、前記混合ガス雰囲気中に180〜230nmの紫外光を入射して基板上に酸化膜を形成する工程とを具備した酸化膜の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/316
, H01L 21/268
