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J-GLOBAL ID：200903049843550473

ドープ半導体基材を用いた熱電材料および熱電素子または熱電素子対

Inventor： 小 林 正 和 ,  篠 原 和 彦 ,  宗 像 文 男 ,  根 本 昌 教
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 小塩 豊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993038632
Publication number (International publication number)：1994252451
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 安価な原料と一般的でかつ容易な粉末焼成法を用いて製造することが可能である耐熱性に優れた性能指数が大きい熱電材料およびこれを用いた熱電素子または熱電素子対を提供する。【構成】 酸化亜鉛を主体としかつインジウムおよびリチウムを含有してなり、酸化亜鉛中の亜鉛、インジウムおよびリチウムの含有比をα:β:γ(ただし、α+β+γ=1)としたときに、βおよびγが、それぞれ、0.00<β<5.00%、0.00<γ<0.42%の範囲にある熱電材料およびこれを用いた熱電素子または熱電素子対。

Claim (excerpt)：

ドープ半導体基材に、補償効果を有するカウンタードーパントを電力因子(ゼーベック係数Sの二乗×電気伝導度σ)が極大となるように含有させたことを特徴とするドープ半導体基材を用いた熱電材料。

IPC (2)：

H01L 35/14 ,  C01G 15/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭61-204475
  
• 特開平2-043469
  
• 特開平2-108766
  
• 特開平2-108766
  
• 特開平4-089976