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J-GLOBAL ID：200903049844257990

半導体ウェハの化学機械的研磨装置、同装置のプラテンへの半導体ウェハ研磨用パッドの取付け方法、および同装置の研磨用複合パッド

Inventor： ニコラス エフ パッシュ
Applicant, Patent owner： エルエスアイ ロジック コーポレーション
Agent (1)： 吉田 豊 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993192736
Publication number (International publication number)：1994097132
Application date： Jul. 07, 1993
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 研磨装置における二枚のパッド202、208間の突然の層剥離という欠陥を減少させるとともに、研磨に使用されるスラリーの量を減少させることが可能な化学機械的研磨に関する改良された手法を提供することを課題とする。【構成】 表面を有するとともに回転するプラテン206と、半導体ウェハ220を研磨する表面およびプラテン206に接着する裏面を有するとともに、プラテン206の表面に接着した少なくとも一枚の研磨用パッド(上方パッド208)と、この少なくとも一枚の研磨用パッド208の裏面の周縁領域のまわりに延びるガスケット材料によるビーズ230と、を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

表面を有するとともに回転するプラテンと、半導体ウェハを研磨する表面および前記プラテンに接着する裏面を有するとともに、このプラテンの表面に接着した少なくとも一枚の研磨用パッドと、この少なくとも一枚の研磨用パッドの裏面の周縁領域のまわりに延びるガスケット材料によるビーズと、を有する半導体ウェハの化学機械的研磨装置。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 1/00