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J-GLOBAL ID：200903049851155141

半導体メモリの書き込み制御回路

Inventor： 隈本 健也
Applicant, Patent owner： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992119461
Publication number (International publication number)：1993151787
Application date： May. 13, 1992
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】UVEPROMの書き込みにおいて、必要以上の書き込み時間をかけないようにする。また、メモリセルに対して書き込み時に、必要以上のストレスをかけないようにする。【構成】書き込み制御回路部に、メモリセル5〜8のリファレンスとなるセルを置き、そのセルに流れる電流がメモリセル5〜8が書き込まれた状態の時に、メモリセル5〜8に流れる電流値と等しくなるように設定しておく。そのメモリセル5〜8とリファレンスセルに流れる電流を比較する回路を設けておき、メモリセル5〜8に流れる電流の方が小さくなった場合に、書き込み動作を停止させ他のメモリセルへの書き込みを開始する信号を発生させる。【効果】前記の構成により、UVEPROMの書き込みに要する時間を短くすることができ、また、一度書き込まれたセルへの過書き込みも防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

半導体メモリセルへの書き込み時に、前記メモリセルに流れ込む電流を検出する回路を備え、前記回路の検出電流により前記メモリセルへの書き込み終了を判定し、書き込み動作を停止させ、他のメモリセルへの書き込み動作を開始させる信号を発生させる回路を有することを特徴とする半導体メモリの書き込み制御回路。