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J-GLOBAL ID：200903049859872276

包接化合物およびその製法

Inventor： 渡辺 達雄
Applicant, Patent owner： 株式会社和幸リソース
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995354585
Publication number (International publication number)：1997176208
Application date： Dec. 22, 1995
Publication date： Jul. 08, 1997
Summary：

【要約】【目的】水などの溶剤を使用しないでシクロデキストリンの包接化合物を製法と、該製法で作られた溶剤使用に伴う変質劣化の恐れのないシクロデキストリン包接化合物とを提供する。【構成】加圧された二酸化炭素ガスとシクロデキストリンとを接触させ、両者の集合体を作った後、該二酸化炭素とシクロデキストリン集合体と、ゲスト成分とを混合接触させ、該ゲスト成分とシクロデキストリンとの包接化合物を製造する。このシクロデキストリン包接化合物の製法は水などの溶剤を使用しないので、溶剤除去あるいは乾燥のような工程を必要としないので工程の簡易化ができる。また、該製法による製品は、乾燥などによる変質劣化の恐れのない包接化合物である。

Claim (excerpt)：

加圧された二酸化炭素ガスとシクロデキストリンとの接触させ、両者の集合体を作る第一工程と、前記二酸化炭素・シクロデキストリン集合体とゲスト成分とに混合接触させることにより該ゲスト成分とシクロデキストリンとの包接化合物を製造する第二工程とを具備することを特徴とするシクロデキストリンの包接化合物の製法。

IPC (3)：

C08B 37/16 ,  A61K 7/00 ,  A61K 47/40

FI (3)：

C08B 37/16 ,  A61K 7/00 J ,  A61K 47/40 Z