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J-GLOBAL ID：200903049860824838

半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor： 松本 晃広
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999182506
Publication number (International publication number)：2001015864
Application date： Jun. 28, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 動作電流が低く信頼性が高い高出力の端面窓型半導体レーザ素子を得る。【解決手段】 共振器端面およびその近傍の活性層無秩序化領域14上にn型端面電流阻止層7を形成する。n型下クラッド層2、p型第1上クラッド層4、n型端面電流阻止層7、p型第2上クラッド層6の順に極性が交互に異なる複数の半導体層が配置されるので、窓領域に流れる無効電流が抑制されて動作電流が低減し、さらに、窓領域の無効電流による発熱が抑制されて結晶劣化が生じ難くなり、高出力動作時の信頼性が向上する。端面電流阻止層7から窓領域までの距離(層厚方向)は第1上クラッド層4の層厚にほぼ等しくなり、その層厚が比較的薄いので、電流阻止部から窓領域に流れる無効電流が十分に抑制される。

Claim (excerpt)：

少なくとも第1導電型の下クラッド層と第2導電型の第1上クラッド層と、両クラッド層で挟まれた量子井戸活性層を有し、少なくとも光出射端面およびその近傍に、該量子井戸活性層を無秩序化した窓領域を備えている半導体レーザ素子において、該窓領域上方であって該第1上クラッド層上部分に電流阻止部を有し、該電流阻止部上および該電流阻止部が設けられていない第1上クラッド層上部分にわたってリッジストライプ状に第2導電型の第2上クラッド層を備えている半導体レーザ素子。

IPC (3)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/227

FI (3)：

H01S 3/18 677 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/18 665

F-Term (18)：

5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA58 ,  5F041CA72 ,  5F041CA77 ,  5F041CB02 ,  5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA87 ,  5F073CA05 ,  5F073CA14 ,  5F073DA15