Pat
J-GLOBAL ID:200903049861615108

イオンプレーティング装置およびイオンプレーティング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 角田 嘉宏 ,  古川 安航
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002263966
Publication number (International publication number):2004099983
Application date: Sep. 10, 2002
Publication date: Apr. 02, 2004
Summary:
【課題】高度に緻密化された膜を成膜することが可能な成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】導電性部材からなる真空チャンバ1内に、薄膜形成材料を充填した蒸発源2を配設するとともに、導電性部材からなる円筒状の基板ホルダ5を配設する。この基板ホルダ5の基板支持部5aに円板状の基板7を取り付け、さらに、基板7の成膜面に対する反対側の面に、基板7と中心軸が一致するリング状の永久磁石8A,8Bを配置する。永久磁石8A,8Bは、磁性材料から構成される磁石固定板17によって固定されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
その内部で基板にプラズマを用いて成膜を行うチャンバと、 前記プラズマを発生させるための電源と、 薄膜形成材料を蒸発させるための蒸発源と 前記チャンバ内に配設され、前記チャンバ内に前記基板が取り付けられる基板ホルダと、 前記基板の周囲に磁界を発生させる永久磁石とを備えたイオンプレーティング装置。
IPC (3):
C23C14/32 ,  G02B1/10 ,  G02B5/28
FI (3):
C23C14/32 D ,  G02B5/28 ,  G02B1/10 Z
F-Term (11):
2H048GA07 ,  2H048GA13 ,  2H048GA60 ,  2H048GA62 ,  2K009DD04 ,  2K009DD09 ,  2K009EE00 ,  4K029CA03 ,  4K029DD02 ,  4K029EA06 ,  4K029JA02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 高品質膜の製膜装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-241605   Applicant:旭硝子株式会社
  • 特開昭55-091971
  • 特開昭64-065261
Show all

Return to Previous Page