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J-GLOBAL ID：200903049864721995
シリコン基板の貫通孔形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997056361
Publication number (International publication number)：1998256227
Application date： Mar. 11, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】 光励起電解研磨法を利用して、無用なエッチングの影響を抑制してアスペクト比の大きい貫通孔を形成することを可能としたシリコン基板の貫通孔形成方法を提供する。【解決手段】 HF溶液2を入れた電解槽1の左右にカソード電極3a,3bを配置し、中央に加工すべきシリコン基板8を配置する。シリコン基板8は予め二つの主面12a,12bの相対向する位置に断面V字状の溝を加工したものとする。電解槽1の外には二つの光源4a,4bを配置する。シリコン基板8の第1の主面12a側から励起光5aを照射しながら第2の主面12bの溝を垂直方向にエッチングし、シリコン基板8の第2の主面12b側から励起光5bを照射しながら第1の主面12aの溝を垂直方向にエッチングする工程を繰り返すことにより、第1,第2の主面間を連通させた貫通孔を形成する。
Claim (excerpt)：
シリコンに対する電解液を入れると共に第1及び第2のカソード電極を配置した電解槽を用意し、シリコン基板の第1及び第2の主面の相対向する位置にそれぞれ断面V字状の溝を加工し、前記シリコン基板をその第1及び第2の主面をそれぞれ前記第1及び第2のカソード電極に対向させて前記電解槽内に配置し、前記シリコン基板の第1の主面側から励起光を照射しながら前記第2の主面の溝を第2の主面に垂直な方向にエッチングする工程と前記シリコン基板の第2の主面側から励起光を照射しながら前記第1の主面の溝を第1の主面に垂直な方向にエッチングする工程との組み合わせにより前記第1及び第2の主面の溝間を連通させた貫通孔を形成することを特徴とするシリコン基板の貫通孔形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/306 L
, C25F 3/12
