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J-GLOBAL ID：200903049865268542
In-Sn系酸化物焼結体及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994136485
Publication number (International publication number)：1995316803
Application date： May. 25, 1994
Publication date： Dec. 05, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高密度で、組成均一性に優れ、かつ低コストのITO膜を形成するためのスパッタリングターゲット用焼結体およびその製造方法を供する。【構成】 In、Sn、アミノ酸を含む硝酸系溶液を加熱することで、粉末の粒径が0.1μm以下で、組成の均一なITO粉末が得られる。この粉末を成形、焼結して焼結体密度を5.4g/cc以上とすることにより、優れた薄膜特性を有するITO透明導電性薄膜を得ることのできるスパッタリング用ターゲットとなる。
Claim (excerpt)：
In、Snおよびアミノ酸を含む硝酸系溶液を加熱して得られた粉末を成形、焼成してなる焼結体の密度が5.4g/cc以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット用In-Sn系酸化物焼結体。
IPC (2)：
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