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J-GLOBAL ID：200903049868038904
レジストパターンの形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993226118
Publication number (International publication number)：1995086127
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】裾引きやくびれを有しない断面を有するパターンを形成するためのレジストパターンの形成方法を提供する。【構成】基板上に光の照射により酸を発生する物質を含む反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜の上に溶解抑止基を導入した樹脂と光の照射により酸を発生する物質とからなる化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜を所定のパターンに露光する工程と、露光後のレジスト膜を現像する工程とを具備するレジストパターンの形成方法である。
Claim (excerpt)：
基板上に光の照射により酸を発生する物質を含む反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜の上に溶解抑止基を導入した樹脂と光の照射により酸を発生する物質とからなる化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜を所定のパターンに露光する工程と、露光後のレジスト膜を現像する工程とを具備するレジストパターン形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
