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J-GLOBAL ID：200903049876194125

半導体発光素子

Inventor： 大山 和彦
Applicant, Patent owner： サンケン電気株式会社
Agent (1)： 高野 則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993245958
Publication number (International publication number)：1995079018
Application date： Sep. 06, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高輝度の発光ダイオードを得ること及び取付けの安定性の良い発光ダイオードを提供することを目的とする。【構成】 n型基板11とエピタキシャル成長層から成るn型領域12及びp型領域13とから成る半導体基板のp型領域13側の主面に環状の溝17を設け、p型領域12の中央部分と周辺部分とを電気的に分離して中央の電流密度を高める。溝17の絶縁膜23は光反射膜として機能する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1の半導体領域と、pn接合を形成するように前記第1の半導体領域に隣接している第2導電型の第2の半導体領域とを有する半導体基体と、前記半導体基体の一方の主面において前記第1の半導体領域に接続された第1の電極と、前記半導体基体の他方の主面において前記第2の半導体領域に接続された第2の電極とを備え、前記第2の電極を支持体に接続するように構成された半導体発光素子において、前記半導体基体の他方の主面を開口を有して被覆する絶縁膜が設けられ、前記開口は前記第2の半導体領域の中央部分に配置され、前記第2の電極は前記開口を介して前記第2の半導体領域に接続されていると共に前記絶縁膜の上にも設けられており、前記第2の半導体領域の中央部分と周縁部分との間に電気的分離領域が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。