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J-GLOBAL ID：200903049879588230

半導体発光素子

Inventor： 佐々井 洋一 ,  久保 実
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993191082
Publication number (International publication number)：1995045866
Application date： Aug. 02, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低抵抗、低印加電圧を可能にするZnSe系II-VI族半導体発光素子を提供する。【構成】 n-GaAs基板1上にn-ZnSe52、n-ZnSSe53、n-ZnSe54、CdZnSe55、p-ZnSe2、p-AlGaAs3、p-GaAs4が順次積層されている。さらにその上には、電流を狭窄するためのポリイミド58、p-電極59が形成されている。このようにコンタクト層としてGaAs層4を、その直下にAlxGa1-xAs層3を設けることで、コンタクト抵抗は約1×10-5Ωcmと従来の方法に比べきわめて小さくできる。したがって、印加電圧の低減がはかれ、特性向上が実現できる。

Claim (excerpt)：

第1の導電型のGaAs基板上に、第1の導電型のクラッド層と活性層と第2の導電型のクラッド層とがエピタキシャル成長され、少なくとも前記クラッド層がII-VI族化合物半導体よりなる半導体発光素子において、前記第2の導電型のクラッド層の上に第2の導電型のAlxGa1-xAs(0≦x≦1)層および第2の導電型のGaAs層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18