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J-GLOBAL ID:200903049884242422

液晶表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西野 卓嗣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992070997
Publication number (International publication number):1993273585
Application date: Mar. 27, 1992
Publication date: Oct. 22, 1993
Summary:
【要約】【目的】 半導体保護膜上に延在される高濃度の第2の非単結晶シリコン膜のステップカバレージ悪化によって発生するTFT特性変化を防止することを目的とする。【構成】 第1の非単結晶シリコン膜(18)と第2の非単結晶シリコン膜(20)との界面において、周囲が露出しないように半導体保護膜(19)で覆うように形成する。
Claim (excerpt):
透明な絶縁性基板上に形成された複数のゲートと、このゲートと一体の複数本のゲートラインと、前記絶縁性基板を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲートに隣接して設けられこのゲート絶縁膜上に形成された表示電極と、前記ゲートを一構成とするTFTの活性領域に対応する前記ゲート絶縁膜上に設けられたノンドープの第1の非単結晶シリコン膜と、前記TFTのソースおよびドレインに対応するこの非単結晶シリコン膜上に設けられた不純物がドープされた第2の非単結晶シリコン膜と、前記ソースに対応する第2の非単結晶シリコン膜と前記表示電極を電気的に接続するソース電極と、前記ソースに対応する第2の非単結晶シリコン膜と電気的に接続されたドレイン電極と、このドレイン電極と電気的に接続され、前記ゲートラインと交差する方向に延在されたドレインラインとを有する液晶表示装置において、前記非単結晶シリコン膜と異なる材料よりなる半導体保護膜が、前記第1の非単結晶シリコン膜と前記第2の非単結晶シリコン膜の界面の露出した部分を覆うことを特徴とした液晶表示装置。
IPC (3):
G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

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