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J-GLOBAL ID：200903049889359433

単結晶炭化珪素の製造方法

Inventor： 大谷 昇 ,  尾上 浩三 ,  高橋 淳 ,  勝野 正和 ,  矢代 弘克 ,  金谷 正敏
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995324508
Publication number (International publication number)：1997157092
Application date： Dec. 13, 1995
Publication date： Jun. 17, 1997
Summary：

【要約】【課題】 マイクロパイプ欠陥の少ない良質な単結晶炭化珪素を成長させる方法の提供。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法で炭化珪素単結晶を成長させる方法において、成長雰囲気中に不純物元素を含有させ、成長表面および成長結晶中に多量の不純物を供給することにより、マイクロパイプ欠陥の少ない炭化珪素単結晶を成長させる。

Claim (excerpt)：

種結晶を用いた昇華再結晶法で炭化珪素単結晶を成長させる方法において、成長雰囲気中に不純物元素を含有させ、成長表面および成長結晶中に多量の不純物を供給し、マイクロパイプ欠陥の少ない炭化珪素単結晶を成長させる方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/02 ,  H01L 33/00

FI (3)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/02 ,  H01L 33/00 A