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J-GLOBAL ID：200903049893437376

薄膜トランジスタとその製造方法及び表示装置

Inventor： 渡邊 智大 ,  安部 勝美 ,  林 享
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (2)： 山下 穣平 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007271316
Publication number (International publication number)：2009099847
Application date： Oct. 18, 2007
Publication date： May. 07, 2009
Summary：

【課題】電気的ストレスに対し、より安定なa-IGZO系薄膜トランジスタと、それを使用した表示装置を得る。【解決手段】活性層がIn、Znを含み構成されたアモルファス酸化物である薄膜トランジスタであって、活性層の形成後に活性層に電気特性を安定化させるためのエネルギーを付与し、エネルギーを付与した活性層が、エネルギーを付与しない活性層に対して、昇温脱離分析により、温度範囲200°Cから700°Cにおいて1.05倍よりも多いZnを脱離する薄膜トランジスタ。活性層がIn,Znを含むアモルファス酸化物で構成された薄膜トランジスタの製造方法であって、活性層を形成する工程の後に活性層に電気特性を安定化させるためのエネルギーを付与する工程を含む薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

活性層がIn、Znを含み構成されたアモルファス酸化物である薄膜トランジスタであって、 前記活性層の形成後に前記活性層に電気特性を安定化させるためのエネルギーを付与し、 前記エネルギーを付与した活性層が、前記エネルギーを付与しない活性層に対して、昇温脱離分析により、温度範囲200°Cから700°Cにおいて1.05倍よりも多いZnを脱離することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/50

FI (2)：

H01L29/78 618B ,  H05B33/14 A

F-Term (49)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE03 ,  3K107FF05 ,  3K107GG00 ,  3K107HH05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN16 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325364   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学