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J-GLOBAL ID：200903049895347374

半導体光制御素子およびその製造方法

Inventor： 小松 啓郎
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991168539
Publication number (International publication number)：1993021904
Application date： Jul. 10, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 再現性良く、歩留り良く製造することができる、低損失で、かつ微細な光導波型の半導体光制御素子を提供する。【構成】 半導体導波型光制御素子を製作する際に、半導体をエッチングしてリッジを形成するのではなく、平坦なダブルヘテロ結晶上に誘電体をマスクとして選択的にリッジ131を成長する。このとき、リッジ側面130も平滑な結晶面とすることができるので、散乱損失の無い超低損失な導波型光制御デバイスを実現できる。しかも、この製造方法においては、半導体のエッチングは不要であり、エッチングを行うのは薄い誘電体膜のみであるので、微細な導波型半導体光制御デバイスを再現性良く、広い面積にわたって製造することができ、集積化や量産化に適する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に半導体第一クラッド層、半導体導波層、半導体第二クラッド層が順次積層された層構造を有し、該半導体基板上に半導体第三クラッド層および半導体キャップ層で構成されたリッジが形成されて直線形状の3次元光導波路が形成され、前記3次元光導波路へ電界を印加する手段を有する半導体位相変調器であって、前記リッジの側面が(111)面であることを特徴とする半導体光制御素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 31/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-134430
  
• 特開昭52-045296
  
• 特開平2-064605