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J-GLOBAL ID：200903049904106741

原料ガス供給装置及びCVD装置

Inventor： 早川 幸宏 ,  牧野 憲史 ,  片岡 有三 ,  川角 保志
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992338807
Publication number (International publication number)：1993239653
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： Sep. 17, 1993
Summary：

【要約】原料ガスを安定して所望の量に精密に制御しながら供給することにより、CVD法による堆積膜の形成を良好なものとする。その為の1つの方法は液体状の原料物質を減圧しながら沸騰させるものであり、これにより100%原料のガスを大量に生成できる。又、別の方法はガスの温度を均一にしかも精密に制御しながら反応室に供給するものであり、加熱整流板を設けるものである。

Claim (excerpt)：

液体状の原料物質より気体状の原料物質を生成し、CVD装置の反応室内に該気体状の原料物質を供給する原料ガス供給装置において、該液体状の原料物質を収容する容器と、該容器内の圧力を減じる減圧手段と、該容器内の該原料物質を加熱する加熱手段と、を有し、該液体状の原料物質を沸騰させることを特徴とする原料ガス供給装置。

IPC (2)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-104667
  
• 特開平1-240663
  
• 特公昭48-031027