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J-GLOBAL ID：200903049917068148

超電導磁石装置の電流リード

Inventor： 滝田 清 ,  能瀬 眞一
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991272959
Publication number (International publication number)：1993114753
Application date： Oct. 22, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】超電導コイルの発生磁界が低温側リードに及ぼす影響を排除することにより、酸化物系超電導導体の電流密度を高め、侵入熱を低減する。【構成】真空断熱容器内に収納され液体ヘリウムに浸漬された超電導コイルに外部電源からの励磁電流を通流する電流リードが良導電性金属からなる高温側リードと、酸化物系超電導導体からなる低温側リードとの直列接続体からなり、低温のヘリウムガスを電流リード内に通流することにより低温側リードが超電導状態となるものにおいて、酸化物系超電導体からなる磁気シ-ルドを低温側リードをその外周側から包囲するよう配置してなるものとする。また、磁気シ-ルドがその下端に狭窄部を有する筒状に形成されてなるものとする。さらに、磁気シ-ルドが、低温のヘリウムガスにより冷却されるよう形成されてなるもの、または下端部が液体ヘリウムにより冷却されるよう形成されてなるものとする。

Claim (excerpt)：

真空断熱容器内に収納され液体ヘリウムに浸漬された超電導コイルに外部電源からの励磁電流を通流する電流リードが良導電性金属からなる高温側リードと、酸化物系超電導導体からなる低温側リードとの直列接続体からなり、低温のヘリウムガスを前記電流リード内に通流することにより前記低温側リードが超電導状態となるものにおいて、酸化物系超電導体からなる磁気シ-ルドを前記低温側リードをその外周側から包囲するよう配置してなることを特徴とする超電導磁石装置の電流リード。