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J-GLOBAL ID：200903049921758795

ガスセンサ

Inventor： 松井 光彦 ,  町田 博宣
Applicant, Patent owner： 株式会社トクヤマ ,  フィガロ技研株式会社
Agent (1)： 塩入 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993160400
Publication number (International publication number)：1994347433
Application date： Jun. 04, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ガスセンサの微細化のために、付着力が高く、直接ワイヤボンディングが可能で、劣化の少ない薄膜電極を提供する。【構成】 Ti,Zr,Cr,Mo,Niからなる群の少なくとも一員の物質から下地膜20,白金を主成分とする中間膜22と、金を主成分とする上地膜24とを積層し、下地膜20で絶縁膜6との付着力を確保し、中間膜22で上地膜24と下地膜20との密着性を得るとともに、上地膜24への下地膜20の材料の拡散を防止する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に、ヒータ膜と金属酸化物半導体膜と電極膜を設けたガスセンサにおいて、前記電極膜は、Ti,Zr,Cr,Mo,Niからなる群の少なくとも一員の物質からなる下地膜と、下地膜上に積層したPtを主成分とする中間膜と、中間膜上に積層したAuを主成分とする上地膜との3層からなり、かつ下地膜の膜厚を0.03〜0.30μm,中間膜の膜厚を0.05〜0.30μm,上地膜の膜厚を0.05〜0.30μmとしたことを特徴とする、ガスセンサ。