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J-GLOBAL ID：200903049925887956

シリコンウエハの製造方法およびシリコンウエハ

Inventor： 泉妻 宏治 ,  白井 宏 ,  吉川 淳 ,  鹿島 一日兒 ,  桐野 好生
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993083558
Publication number (International publication number)：1994295912
Application date： Apr. 09, 1993
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 比較的高い酸素濃度範囲のウエハであっても、デバイス活性層はより無欠陥に、かつバルク部のBMDは低密度であるシリコンウエハを提供する。【構成】 チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度[Oi]が1.5〜1.8×1018atoms/cm3 のシリコンウエハを、水素ガス雰囲気中あるいは水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気中で、熱処理温度を1100°C〜1300°C、熱処理時間を1分間〜48時間、熱処理過程中1000°Cから1300°Cの温度範囲内における昇温速度を15〜100°C/minの条件で熱処理を施す。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度[Oi]が1.5〜1.8×1018atoms/cm3 のシリコンウエハを、水素ガス雰囲気中あるいは水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気中で、熱処理温度を1100°C〜1300°C、熱処理時間を1分間〜48時間、熱処理過程中1000°Cから1300°Cの温度範囲内における昇温速度を15〜100°C/minの条件で熱処理を施すことによって、ウエハ表面から少なくとも深さ10μm以上にわたって大きさが20nm以上のBMDが103 個/cm3 以下である無欠陥層を有し、ウエハ内部バルク部の酸素析出物密度[BMD]が、[BMD]≧1×103 個/cm3 、かつ[BMD]≦exp{9.210×10-18 ×[Oi]+3.224}個/cm3 であるウエハを製造することを特徴とするシリコンウエハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-193458
  
• 特開昭59-202640
  
• 特開昭58-056343
  
• 特開昭57-167637