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J-GLOBAL ID：200903049928666519

パワー半導体素子の駆動回路

Inventor： 木村 隆志 ,  佐々木 昌浩
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999215528
Publication number (International publication number)：2001045740
Application date： Jul. 29, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 比較的簡単な回路構成で寄生インダクタンスにより発生するサージ電圧を適確に抑制し得るパワー半導体素子の駆動回路を提供する。【解決手段】 低レベルに変化する入力信号が供給されると、レベルシフト回路47を介してMOSFET(M1)49がオフ、MOSFET(M2)51がオンとなり、パワー半導体素子30を低レベルに駆動しようとし、かつパワー半導体素子30のゲート電荷を抵抗55を介して放電開始し、同時にMMV回路45の出力によりMOSFET(M4)63がオンし、パワー半導体素子30のゲート電荷は抵抗67を介して放電開始し、ゲート電荷は急速に放電するが、パワー半導体素子30のドレイン電流が低下開始する近傍に相当するドレイン電圧にドレイン電圧が達すると、これがMOSFET(M3)61で検出され、MOSFET(M4)63をオフにし、ゲート電荷の放電を抵抗55のみとし、ゲート電荷の放電を緩慢にし、di/dtを小さくし、サージ電圧を小さな値に抑制する。

Claim (excerpt)：

ゲート容量に対する電荷の放電または充電によりスイッチングされるパワー半導体素子の駆動回路において、前記パワー半導体素子におけるゲート容量に対する電荷の放電または充電の時定数を可変する時定数可変手段と、前記パワー半導体素子の出力電圧を監視する監視手段と、前記パワー半導体素子におけるゲート容量に対する電荷の放電時または充電時においては、時定数可変手段を制御して、小さい時定数で開始させ、監視手段により出力電圧が所定電圧に達したときには時定数を大きくさせる時定数制御手段とを有することを特徴とするパワー半導体素子の駆動回路。

IPC (2)：

H02M 1/00 ,  H02M 1/08

FI (2)：

H02M 1/00 F ,  H02M 1/08 A

F-Term (9)：

5H740BA12 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740JA01 ,  5H740JA23 ,  5H740JB01 ,  5H740LL01 ,  5H740MM01