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J-GLOBAL ID：200903049937930512

半導体基板又は素子の洗浄方法

Inventor： 竹村 誠 ,  福田 泰夫 ,  早田 和昭 ,  加藤 昌明 ,  栖原 英治
Applicant, Patent owner： 三菱住友シリコン株式会社 ,  株式会社 ピュアトロン ,  エコー技研株式会社
Agent (1)： 池条 重信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002235425
Publication number (International publication number)：2004079649
Application date： Aug. 13, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【課題】オゾン水を用いた半導体基板又は素子の洗浄方法において、総有機炭素量を低減させた超純水を原料や溶媒として製造した超純度オゾン水のオゾン半減期を延長して、洗浄能力と洗浄効率の向上を図った洗浄方法の提供。【解決手段】無声放電法又は水の電気分解法で得られたオゾンを、総有機炭素量を低減させた超純水を溶媒として溶解含有させたオゾン含有の洗浄水を用いて洗浄するに際し、多孔質高分子膜を使用して有機溶剤を添加した超純水溶媒に前記オゾンを含有させることで、オゾン半減期減衰を著しく抑制でき、洗浄時の溶存オゾン濃度を高濃度に保持でき、洗浄能力と洗浄効率を向上できる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板又は素子をオゾン含有の洗浄水を用いて洗浄する方法であり、オゾンを含有させる洗浄用原料水に有機溶剤を添加する工程を有する半導体基板又は素子の洗浄方法。

IPC (6)：

H01L21/304 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60 ,  C11D17/08 ,  H01L21/308

FI (6)：

H01L21/304 647A ,  C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60 ,  C11D17/08 ,  H01L21/308 G

F-Term (12)：

4H003DA15 ,  4H003EA20 ,  4H003EA31 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  5F043AA01 ,  5F043BB27 ,  5F043DD02 ,  5F043EE01 ,  5F043EE07 ,  5F043EE30 ,  5F043EE31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• フォトレジスト膜除去方法およびそのための装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-321876   Applicant：三菱電機株式会社, 島田理化工業株式会社
• 電子材料用洗浄水、その製造方法及び電子材料の洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-197781   Applicant：栗田工業株式会社
• オゾン含有浄化液、その製造方法及び浄化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-168269   Applicant：ペルメレック電極株式会社
• 電子材料の洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-139536   Applicant：栗田工業株式会社